IGZOターゲット
従来のアモルファスシリコンのパネル構造では実現できなかった高信頼性と高精細のパネル画像を可能とする、酸化物半導体IGZOのベース材料となる酸化物ターゲットです。
当社は大型ターゲットの量産化に成功し、お客様のニーズに合わせた様々な組成の製品を提供致します。また製法はITOターゲット同様に、当社独自のMMF法を採用しております。
*円筒形ターゲットの提供も可能です。
(特性値は円筒形ターゲットのページをご参照下さい)
当社は大型ターゲットの量産化に成功し、お客様のニーズに合わせた様々な組成の製品を提供致します。また製法はITOターゲット同様に、当社独自のMMF法を採用しております。
*円筒形ターゲットの提供も可能です。
(特性値は円筒形ターゲットのページをご参照下さい)
用途
フラットパネルディスプレイ、タッチパネル用途
特性値
| 規格 | 単位 | 備考 | ||
|---|---|---|---|---|
| 組成※1 | In | 1 | at ratio | - |
| Ga | 1 | - | ||
| Zn | 1 | - | ||
| 純度 | IGZO | ≧99.99 | % | - |
| 相対密度 | ≥99.5 | % |
- |
|
※1 In:Ga:Zn:O=1:1:1:4以外に、各種組成の製造が可能です。
製造工程
独自製法による焼結体MMF™で作られた
超高密度スパッタリングターゲット
当社独自の新製法（スラリー成形技術）です。
特性
- ノジュールの減少
- パーティクル、メタル異物の減少
- 異常放電（アーキング）の減少
生産拠点
日本：福岡県大牟田市大字唐船2081（三池ターゲット工場）
台湾：中華民国台湾省台中市梧棲區緯五路6號 （台湾特格股份有限公司）
